次世代半導体材料「二酸化ゲルマニウム」を用いた超広帯域バンドギャップパワー半導体の実用化を目指す、Patentix株式会社への出資を実行いたしました
2025/10/03
- 投資実行
Abies Ventures Fund II 投資事業有限責任組合は、次世代半導体材料「二酸化ゲルマニウム(GeO₂)」を用いた超広帯域バンドギャップ(UWBG)パワー半導体の研究開発および製造販売を主力事業とする、Patentix株式会社への出資を実行しました。
EVやAIの普及による電力消費量の増大、CO2排出量削減ニーズの高まり、エネルギーコスト上昇への対応、移動体等における電源関連装置の小型化ニーズの高まりから、UWBGパワー半導体の実用化が期待されています。GeO₂半導体は、実現可能性やコスト競争力への期待から、UWBG半導体の中でも近年急速に注目を集めています。
GeO₂半導体の実用化開発においてPatentix社が世界をリードしていることから、世界市場で戦える日本発のディープテック・スタートアップ創出を目指す弊社ファンドのビジョンに適合すると判断し、出資致しました。本出資を通じて、同社の今後の事業成長を支援してまいります。
本件は、日刊工業新聞でも報道されております。
・Patentix社のプレスリリースはこちらをご覧ください。
・参考:Patentix株式会社 公式サイトhttps://www.patentix.co.jp/